今天共享的是：2025年第三代半导体SiC GaN产业链扣问讲演-深企投世博体育

讲演共计：74页

本讲演聚焦2025年第三代半导体碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）产业链，长远阐述产业近况与发展趋势。第三代半导体以宽禁带材料为中枢，与前两代半导体变成互补，在新动力、通讯等领域后劲权贵。

第三代半导体概览

半导体材料历经三代迭代。第一代以硅（Si）、锗（Ge）为主，主导低压低频场景；第二代以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表，聚焦高频光电子领域；第三代以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为中枢，具备宽禁带、高击穿电场等特质，适用于高温、高频、大功率场景，如新动力汽车、5G基站等。三代材料将始终共存，第三代有望幽静替代部分硅基商场。

碳化硅（SiC）产业链

- 哄骗领域：新动力汽车为中枢场景，主驱逆变器、车载充电器等需求隆盛，800V高压平台推动碳化硅渗入率进步，2025年国内800V车型中碳化硅渗入率达71%。此外，光伏储能、充电桩、AI数据中心等领域哄骗也在拓展。

- 产业链结构：上游衬底和外延片占器件资本70%，中游为器件制造，下贱波及多个哄骗领域。衬底制备本事门槛高，8英寸衬底可镌汰资本35%，国表里企业加快布局。

- 商场神气：全国商场由外资巨头主导，前五大厂商占92%份额，但国内企业快速崛起，2024年上半年国内新动力乘用车碳化硅模块装机量前10企业中，国产厂商占6家，系数份额45.7%。

氮化镓（GaN）产业链

- 哄骗领域：氮化镓在高频场景上风凸起，滥用电子快充渗入率已达52%，汽车领域车载充电器、DC-DC退换器等幽静哄骗，数据中心、新动力等领域后劲大。

- 本事阶梯：硅基氮化镓（GaN-on-Si）因资本上风成主流，8英寸晶圆推动降本，2023年全国8英寸氮化镓市占率33.7%。

- 商场范围：全国氮化镓功率器件商场2023年达2.6亿好意思元，展望2029年达20.1亿好意思元，年复合增长率41%，国内英诺赛科等企业置身全国龙头。

建树产业链

- 碳化硅建树：单晶炉、外延炉基本国产化，刻蚀建树、离子注入机等国产化率低，2029年全国碳化硅建树商场范围展望超44亿好意思元。

- 氮化镓建树：MOCVD等中枢建树依赖入口，国内中微半导体、朔方华创等鼓舞国产化，2026年全国氮化镓外延建树商场范围展望达4.02亿好意思元。

总体而言，第三代半导体产业链在本事迭代与商场需求启动下快速发展，国内企业在材料、器件及建树端加快冲突，国产化程度有望合手续鼓舞。

以下为讲演节选实质